近日，Nexperia（安世半导体）推出一系列Trench肖特基整流管产品组合，其中包括了额定电压和电流分别高达100 V 和20 A 的全新器件。产品优势Nexperia Trench肖特基整流管具有出位于美国加州Sunnyvale的Philips半导体公司是皇家Philips电子公司的一个分部，它所推出的第三代TrenchMOS(深槽MOS)工艺技术，可以将以MOSFET为基础的电路单元的
1Trench MOSFET:沟槽工艺，具有导通电阻小，寄生电容小，开关速度快等优点。2High-Performance-Advanced TrenchMOSFET:SGT工艺，是屏蔽沟槽工艺，屏蔽深沟槽工艺，这个是基于传统沟槽式M2.Trench工艺，俗称潜沟槽工艺，就好比我们农村的楼房，需要挖地基到一定深度，同样的使用面积所需要的地
一种基于trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件，在硅衬底1上开设有四个凹槽2,对凹槽2的侧面与底面的硅衬底1以及硅衬底1的上表面进行高温氧化而形成二氧化硅介质主要的工艺步骤分为薄膜沉积→AIO(Trench & Via)刻蚀→铜电镀→CMP 第一步是薄膜沉积沉积的膜层与METAL 1一致SiCN层刻蚀停止层SICOH层层间介电质TEOS层硬掩模TiN层金属硬
沃尔德升级版的新沟槽工艺，小电流下非常优良的压降参数，可得到更高的能源转换效率；通过介质层钝化工艺，较常规沟槽工艺器件有更低的高温漏电流。在同样的150V电压下，Trench工艺的1518.进一步地，在步骤五中，在所述多晶硅上沉积金属化合物，反应生成所述金属硅化物；进行第一次退火工艺；清洗反应残留物；进行第二次退火工艺。19.进一步地，在trench mos器件的制造方法
