铟镓砷雪崩光电二极管铟镓砷(InGaAs)是一种由铟、镓和砷组成的一种半导体材料，由于其具有良好的信号传输性能、良好的热稳定性和较高的截止电压，因此铟镓砷在光电二极管构成铟镓砷(InGaAs)晶体结构为闪锌矿点阵结构，具有直接跃迁型能带结构。材料的晶格常数随组分的改变近似呈线性变化，相应的禁带宽度可以在砷化铟(InAs)的0.35电子伏
高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少InGaAs,砷化铟镓，也直接称为铟镓砷，是以III族元素镓(Ga)、铟(In)与V族元素砷(As)化合形成的三元化合物半导体材料，是一种III-V族半导体。根据新思界产业研究中心发布的《2022-2026年
没有下标。铟镓砷是三元化合物，通常表示为InGaAs，其中In代表铟（Indium），Ga代表镓（Gallium），As代表砷（Arsenic），在化学式中，元素的下标常用来表示化合物铟镓砷探测器工作在0.8um-2.6um的波长范围内，提供快速响应时间、一致性好、极好的灵敏度及长时间工作的稳定性，不同型号对应的截止波长分别为1.9um,2.2um,2.4um,2.6um。主要
∪▂∪ 2022年全球铟镓砷(InGaAs)探测器芯片市场规模约亿元，2018-2022年年复合增长率CAGR约为%,预计未来将持续保持平稳增长的态势，到2029年市场规模将接近亿元，未来铟镓砷探测器品牌GPD|产地上海|价格100.00元|型号Extended InGaAs Photodiodes|核心词铟镓砷探测器|适用范围1.9-2.6um|类型手持式探测器|是否进口否|工作电源5V|报警模式自动|测量范围1.9-2.6um|
