能带理论告诉我们，电子主要分布在满价带，当半导体受温度影响，电子受激发到导带，在价带上留下空穴。导带上的电子和价带上的空穴决定导电* 导带边和价带边处于直接带隙半导体(directbandgapsemiconductor) 直接带隙半导带中导带极小值和价带极大值相应于相同的波矢K0,这种半导体在本征吸收过程中，产生电子的直接跃迁，跃
直接带隙半导体（DIRECT GAPSEMICONDUCTOR） 导带边和价带边处于k空间相同点的半导体通常被称为直接带隙半导体。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带1. 直接带隙半导体与间接带隙半导体在正式分享具体方法之前，首先请允许我明确两个概念：直接带隙半导体和间接带隙半导体。直接带隙半导体：导带最小值(导带底)和价带最大值在k空间
ˇ﹏ˇ 直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量.间接带隙半也就是空间横坐标变量是动量k，以区别我们实空间描述，空间坐标变量是空间规度x）。
直接带隙半导体（DIRECT GAPSEMICONDUCTOR） 导带边和价带边处于k空间相同点的半导体通常被称为直接带隙半导体。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。直一般情况下，直接带隙半导体可直接吸收能量合适的光子。间接带隙半导体，因为电子跃迁时需要动量守恒，因此吸收光的时候需要吸收或发射声子辅助。这种情况下，间接
