在用新型半导体材料制成的功率器件中，最有希望的是碳化硅（SiC）功率器件。它的性能指标比砷化镓器件还要高一个数量级，碳化硅与其他半导体材料相比，具有下列优异的物理特点：高禁带宽度，高饱在现有的半导体器件中，主要有CMOS、BJT、MOSFET等，但是这些器件在功耗、热量等方面存在一些不足。因此，人们正在研究新型半导体器件，其中最为热门的是SiC MOSFET和GaN HEMT等
氮化镓GaN是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导中商情报网讯：IGBT作为一种新型功率半导体器件，是工业控制及自动化领域的核心元器件，其作用类似于人类的心脏，能够根据装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以
●﹏● 新型功率半导体器件IGBT是电力电子行业的“CPU”，IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和百度爱采购为您找到976家最新的新型半导体元器件有哪些产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息，您还可以免费查询、发布询价信息等。
半导体激光器（Laser Diode）：是一种能够将电信号转换为激光光信号的器件，常用于激光制造、激光通信、医疗美容等领域。红外探测器（Infrared Detector）：是一种能够探测红外辐射新型半导体元件的种类繁多，例如材料半导体元件、有机半导体元件、先进Si出站技术、石墨烯、柔性电子、无源/有源集成器件、特殊铁电和压电材料、MEMS、NEMS等。一、材料半导
