陈远富教授、博导电子科技大学- 微电子与固体电子学院查看联系方式个人简介教育背景1998.09-2001.06 四川大学,材料学专业博士1995.09-1998.06 四川联合大学(现四川大学)基于此,来自电子科技大学陈远富教授团队、西藏大学吴琪研究员团队,在国际知名期刊Adv. Funct. Mater上发表题为“Mo2N Quantum Dots Decorated N-doped Graphene Nanosheets as Dual-
在此,为了有效抑制锂枝晶生长,电子科技大学陈远富教授、贺加瑞等人首次在商用PP隔膜上提出了一种新型亲锂中间层,该中间层(Fe3N@NG) 由嵌入并包裹在N掺杂石墨烯纳米片中的Fe3N纳米在本文中,电子科技大学陈远富教授、Katam Srinivas教授等课题组综述了MOF材料的一个代表性家族,羧酸盐基MOFs及其衍生物作为OER的电催化剂。通过各种羧酸金属
╯▽╰ 通讯地址:四川省成都市高新西区西源大道2006号电子科技大学清水河校区主楼B2-419研招办邮编:611731 联系电话:86-28-61830153,传真:86-28-61830153 上班时间:周一至周五(节最近,电子科技大学陈远富教授与美国德州大学奥斯汀分校Arumugam Manthiram教授合作,设计并合成了一种新型的自支撑式的三维石墨烯/1T MoS2(3DG/TM)异质结构;该结构可作为一种高效的
大学本科毕业工学学士学位1995.9 -- 1998.6 四川大学金属材料及热处理硕士研究生毕业工学硕士学位1998.9 -- 2001.6 四川大学材料学博士研究生毕业工学博士学位工作电子薄膜与集成器件国家重点实验室,教授,2008至现在电子科技大学教授联系信息email 相关人员查看更多杨东旭中科院光电技术研究所,副研究员于博西南石油大学,副