一位氮化镓从业者就指出，过去一年内与整车厂交流发现，虽然目前上车的第三代半导体器件以碳化硅材料为主，但如果有合适采用氮化镓材料能通过车规认证的功率器件模块、或其氧化镓是一种无机化合物，化学式为Ga2O3（三氧化二镓），作为第四代半导体的代表，被视为“替代碳化硅和氮化镓”的新一代半导体材料，也被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代
南京大学非晶合金材料及应用技术国家工程实验室与南京铁道职业技术学院共同研发出了第四代半导体材料——非晶锡靶材料。这是国内首次成功制备非晶锡靶材料，意味着第四代半导体材料第三代半导体现状由于制造设备、制造工艺以及成本的劣势，多年来第三代半导体材料只是在小范围内应用，无法挑战硅基半导体的统治地位。目前碳化硅衬底技术相对简单，国内已实现4英寸量
当前的第四代半导体主要材料就是氧化镓，比起此前的主流半导体材质，使用氧化镓的第四代半导体拥有更高的性能效率、更强的耐热性、更小的尺寸和更密集的集成度，并且使用寿命也会更全球第三代半导体行业1、全球第三代半导体技术区域竞争格局技术来源国分布：中国占比最高目前，全球第三代半导体第一大技术来源国为中国，中国第三代半导体专利申请量占全球第三
●＾● 从一定时期内的技术发展成熟度来看，氧化镓(Ga2O3)是最可能在未来几年内，实现从实验室到工厂的第四代半导体材料。我国部分产业机构认为，作为第四代半导体材料中最可能快速解决产业化2022年12月，铭镓半导体实现了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首批掌握第四代半导体4英寸氧化镓单晶衬底生长技术公司之一。目前，铭镓半导体已研制并生产出高质量、大尺寸氧
