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锗二极管的死区电压为多少V,硅二极管和锗二极管压降

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17.常温下,硅二极管的死区电压约为___V,导通后两端电压基本保持约___V 不变;锗二极管的死区电压约___V,导通后两端电压基本保持约___V 不变。18.二极管2AP7 是类型,2CZ56 锗二极管导通电压为0.1V-0.3V,一般取0.2V,死区电压为0.1V左右;硅二极管导通电压为0.5V-0.8V,一般取0.7V,死区电压为0.5V左右。锗二极管与硅二极管有何差别硅

⊙0⊙ 锗二极管导通电压为0.1V-0.3V,一般取0.2V,死区电压为0.1V左右;硅二极管导通电压为0.5V-0.8V,一般取0.7V,死区电压为0.5V左右。——以上出自《模拟电子技术》故百度试题题目锗二极管的死区电压是( )。2 分) A. 0.1~0.2V B. 0.5V C. 0.7V D. 0.6V 相关知识点:解析未作答得分:0分参考答案:A反馈收藏

.锗材料二极管的正向导通死区电压约为0.2V不到,一般导通后的压降按0.2V计算;硅材料二极管的正向导通死区电压约为0.6V,通后的压降按0.7V计算。0.2v

锗二极管的正向导通死区电压约为0.2V不到,一般导通后的压降按0.2V计算;硅材料二极管的正向导通死区电压约为0.6V,通后的压降按0.7V计算。锗二极管的导通电压百度试题题目锗二极管的死区电压为( ) V。A.0.2B.0.3C.0.5D.0.7 相关知识点:解析A【单选题】隧道的断面面积应大于( )平方米。反馈收藏

∪ω∪ 锗二极管导通电压为0.1V-0.3V,一般取0.2V,死区电压为0.1V左右。对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。由于半导体锗二极管在气液两相流中具有不同的传热能力,因而引起7.在常温下,硅二极管的死区电压约___0_.5___V,导通后在较大电流下的正向压降约___0_.7___V。8.在常温下,锗二极管的死区电压约为_0_._1V___V,导通后在较大电流的正向压

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